Taula de continguts:
- Definició: què significa transistor d’un sol electró (SET)?
- Techopedia explica el transistor d'un sol electró (SET)
Definició: què significa transistor d’un sol electró (SET)?
Un transistor d’un sol electró (SET) és un dispositiu de commutació que consta de dues juntes de túnels que comparteixen un elèctrode comú i fa ús d’aquest túnel d’electrons controlat per amplificar el corrent. La tecnologia utilitzada en transistors d’un sol electró es basa en la teoria del túnel quàntic. Considerats un component important de la nanotecnologia, els transistors d’un sol electró proporcionen una alta velocitat de funcionament i un baix consum d’energia.
Techopedia explica el transistor d'un sol electró (SET)
Un transistor d’un sol electró es fa normalment mantenint dues juntes de túnels en sèrie. El transistor consisteix en un elèctrode font i una fossa de font, que s’uneix amb l’ajuda d’una illa de túnels que també està connectada capacitivament a una porta. Els electrons poden viatjar a un altre elèctrode només a través de l'aïllant. Hi ha dues categories de transistors d’un sol electró: metàl·lics i semiconductors. El primer fa ús d’una illa metàl·lica i els seus elèctrodes utilitzant una màscara d’ombra s’evaporen majoritàriament sobre un aïllant. En canvi, aquest últim depèn de tallar el gas d'electrons bidimensional que es forma a la interfície dels semiconductors per a la unió.
La característica de resistència d’un transistor d’un sol electró depèn de la mida de les nanopartícules, la capacitança i el túnel d’electrons.
Els transistors d’un sol electró tenen moltes aplicacions. Es poden utilitzar com a detectors de microones ultrasensibles i també es poden utilitzar per detectar senyals d’infrarojos a temperatura ambient. També són sensors de càrrega eficients capaços de llegir qubits de spin o de càrrega. La seva característica d’alta sensibilitat els permet utilitzar com a electròmetres en experiments que requereixen alts nivells d’especificitat.
Els transistors d’un sol electró no són adequats, però, per a circuits complexos a causa de les fluctuacions presents en ells. Altres limitacions són l’aleatorietat de la càrrega de fons i la dificultat per mantenir la temperatura ambient.
